| 标准号： |
GB/T 14847-2010 |
| 英文名称： |
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
2011-01-10 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2011-10-01 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
宁波立立电子股份有限公司;信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
11P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 14847-1993 |
| 引用标准： |
GB/T 1552;GB/T 6379.2;GB?T 14264 |
| 内容提要（CN）： |
测量;外延层;厚度;红外线辐射;衬底(绝缘);硅 |
| 内容提要（EN）： |
MEASUREMENTS;MEASUREMENT;MEASURING;EPITAXIAL LAYERS;THICKNESS;INFRARED RADIATION;SUBSTRATES (INSULATING);SILICON;SILICONE |
| 归属： |
中国 |
