| 标准号： |
GB/T 13150-2005 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices-Discrete devices-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A |
| 中标分类： |
电工>>电力半导体器件、部件 |
| 发布日期： |
2005-03-23 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2005-10-01 |
| ICS分类： |
晶体闸流管>>晶体闸流管 |
| 起草单位/标准公告： |
襄樊台基半导体有限公司 |
| ***： |
CP |
| ***： |
B |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
13P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 13150-1991 |
| 采用关系： |
IEC 60747-6-2-1991,NEQ |
| 内容提要（CN）： |
额定值;半导体整流器;双向三极晶闸管;详细规范;半导体二极管;三极管;半导体闸流管;半导体闸流管 |
| 内容提要（EN）： |
detail specification;semiconductor diodes;;thyristors;thyristors;triodes;ratings;semiconductor rectifiers;detail specifications |
| 归属： |
中国 |
|
