| 标准号： |
IEC 60747-6-2016 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
| 发布日期： |
2016-04 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
晶体闸流管>>晶体闸流管 |
| 正文语言： |
双语(英,法) |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Dispositifs discrets - Thyristors |
| 页数： |
254P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 60747-6 (2016-04);IEC 47E/532/FDIS (2015-12);IEC 47E/478/CDV (2014-09);IEC 47E/460/CD (2013-07);IEC 47E/444/CD (2012-08);IEC 60747-6 (2000-12);IEC 47E/155/FDIS (2000-05);IEC 47E/125/CDV (1999-06);IEC 47E/38/CDV (1996-02);IEC 60747-6 AMD 2 (1994-02);IEC 60747-6 AMD 1 (1991-08);IEC/DIS 47(CO)1259 (1991-06);IEC/DIS 47(CO)1304 (1991-03);IEC/DIS 47(CO)1303 (1991-03);IEC 60747-6 (1983);IEC 60147-0F (1982);IEC 60147-1J (1981);IEC 60147-1H (1981);IEC 60147-2M (1980);IEC 60147-2K (1978);IEC 60147-4 (1976);IEC 60147-1G (1975);IEC 60147-2F (1974);IEC 60147-3A (1973);IEC 60147-1F (1973);IEC 60147-0C (1973);IEC 60147-1 (1972);IEC 60147-3 (1970);IEC 60147-2C (1970);IEC 60147-2B (1970);IEC 60147-0B (1969);IEC 60147-0 (1966);IEC 60147-2 (1963) |
| 被代替标准： |
IEC 47E/532/FDIS-2015;IEC 60747-6-2000 |
| 引用标准： |
IEC 60747-1-2006;IEC 60747-1 AMD 1-2010;IEC 60749-23-2004;IEC 60749-25-2003;IEC 60749-34-2010 |
| 采用关系： |
BS IEC 60747-6-2016,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Components;Definitions;Diodes;Discrete devices;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Inspection;Integrated circuits;Limits (mathematics);Marking;Measurement;Measuring techniques;Ratings;Reliability;Semiconductor devices;Semiconductors;Specification (approval);Symbols;Testing;Thyristors;Triggers;Triode thyristors;Triodes |
| 内容提要（QT）： |
Anforderung;Bauelement;Begriffe;Definition;Diode;Einzelbauelement;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Grenzwert;Halbleiter;Halbleiterbauelement;integrierte Schaltung;Kenndaten;Kennwert;Kennzeichnung;Kurzzeichen;Messung;Messverfahren;Prüfung;Prüfverfahren;Qualit？tsprüfung;Thyristor;Thyristortriode;Trigger;Triode;Zuverl？ssigkeit |
| 归属： |
国际 |
