| 标准号： |
GB/T 24581-2009 |
| 英文名称： |
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
2009-10-30 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-06-01 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
四川新光硅业科技有限责任公司 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
10P.;A4 |
| 引用标准： |
GB/T 1558;GB/T 6618;GB/T 13389;GB/T 14264;SEMI MF 1723;ASTM E131;ASTM E168;ASTM E177;ASTM E275 |
| 采用关系： |
SEMI MF 1630-0704,IDT |
| 内容提要（CN）： |
硅;化学分析和试验;半导体;含量测定;晶体;杂质 |
| 内容提要（EN）： |
SILICON;SILICONE;CHEMICAL ANALYSIS AND TESTING;SEMICONDUCTORS;CONTENT DETERMINATION;CONTENT DETERMINATIONS;DETERMINATION OF CONTENT;CRYSTALS;IMPURITIES;IMPURITY |
| 归属： |
中国 |
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