| 标准号： |
GB/T 6617-2009 |
| 英文名称： |
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
2009-10-30 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-06-01 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
南京国盛电子有限公司;宁波立立电子股份有限公司 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
8P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 6617-1995 |
| 引用标准： |
GB/T 1550;GB/T 1552;GB/T 1555;GB/T 14847 |
| 内容提要（CN）： |
电阻测量;半导体;电阻率;硅;半导体材料;电阻;晶体 |
| 内容提要（EN）： |
RESISTANCE MEASUREMENT;SEMICONDUCTORS;ELECTRICAL RESISTIVITY;RESISTIVITY;SILICON;SILICONE;SEMICONDUCTOR MATERIALS;ELECTRICAL RESISTANCE;RESISTANCE (ELECTRICAL);CRYSTALS |
| 归属： |
中国 |
