| 标准号： |
GB/T 26068-2010 |
| 英文名称： |
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
20111001 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
作废 |
| 实施日期： |
2010 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
24 |
| 附注： |
国家标准批准发布公告2011年第1号(总第166号) |
| 代替标准： |
被GB/T 26068-2018代替 |
| 被代替标准： |
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| 引用标准： |
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| 采用关系： |
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| 内容提要（CN）： |
1．1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破
坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
1．2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.051Ω.cm～11Ω.cm之间。?
注：本检测方法适用于测量0.25us到>1ms范围内的载流于复合寿命．晕短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程 |
| 归属： |
中国 |
