| 标准号： |
GB/T 29332-2012 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2012-12-31 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2013-06-01 |
| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告： |
西安电力电子技术研究所;西安爱帕克电力电子有限公司;英飞凌科技(中国)有限公司;威海新佳电子有限公司;江苏宏微科技有限公司 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
55P.;A4 |
| 引用标准： |
IEC 60747-1-2006;IEC 60747-2;IEC 60747-6;IEC 61340 |
| 采用关系： |
IEC 60747-9-2007,IDT |
| 内容提要（CN）： |
半导体器件;双极晶体管;晶体管 |
| 内容提要（EN）： |
SEMICONDUCTOR DEVICES;BIPOLAR TRANSISTORS;TRANSISTORS |
| 归属： |
中国 |
|
