| 标准分类 Standards |
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| 中文名称：使用阈下电流&x2013将电离辐射诱导的MOSFET阈电压偏移分离成由于氧化物陷阱和界面状态引起的元件的标准试验方法;电压特性 |
| 标准号:ASTM F996-2011(2018) |
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| 标准号： |
ASTM F996-2011(2018) |
| 英文名称： |
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current&x2013;Voltage Characteristics |
| 中标分类： |
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| 发布日期： |
2011 |
| 发布单位： |
US-ASTM |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 确认日期： |
2018 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
F01.11 |
| ***： |
Test |
| 页数： |
7P.;A4 |
| 内容提要（EN）： |
c/v characteristics; current&x2013;voltage characteristics; interface states; ionizing radiation; MOSFET; oxide-trapped holes; threshold voltage shift; trapped holes; |
| 归属： |
美国 |
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