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 CCS中国标准分类  
01  YS/T 519.2-2009 发布日期:2009-12-04  实施日期:2010-06-01
砷化学分析方法.第2部分:锑量的测定.孔雀绿分光光度法
Methods for chemical analysis of arsenic.Part 2:Determination of antimony content.Malachite green spectrophotometric method
参考页数:7P.;A4
02  YS/T 519.1-2009 发布日期:2009-12-04  实施日期:2010-06-01
砷化学分析方法.第1部分:砷量的测定.溴酸钾滴定法
Methods for chemical analysis of arsenic.Part 1:Determination of arsenic content.Potassium bromate titrimetric method
参考页数:7P.;A4
03  YS/T 34.3-2011 发布日期:2011-12-20  实施日期:2012-07-01
高纯砷化学分析方法.极谱法测定硫量
Method for chemical analysis of the high-purity arsenic.Predicating method for determinating the concentration of sulfur
参考页数:8P.;A4
04  YS/T 34.2-2011 发布日期:2011-12-20  实施日期:2012-07-01
高纯砷化学分析方法.极谱法测定硒量
Method for chemical analysis of the high-purity arsenic.Predicating method for determinating the concentration of selenium
参考页数:6P.;A4
05  YB/T 5358-2008 发布日期:2008-03-12  实施日期:2008-09-01
硅钡合金
Ferrosilicon-barium
参考页数:5P.;A4
06  YB/T 066-2008 发布日期:2008-03-12  实施日期:2008-09-01
硅钡铝合金
Ferrosilicon-barium-aluminium
参考页数:5P.;A4
07  SN/T 2413-2010 发布日期:2010-01-10  实施日期:2010-07-16
进出口金属硅中总碳和硫含量测定.高频燃烧红外吸收光谱法
Determination of total carbon and sulfur contents of silicon metal for import and export-Infrared absorption spectromentry
参考页数:9P.;A4
08  BS ISO 14706-2014 发布日期:2014-07-31  实施日期:2014-07-31
表面化学分析.采用全反射X射线荧光(TXRF)光谱法对硅片表面元素污染物的测定
Surface chemical analysis. Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
参考页数:36P.;A4
09  DIN 50455-1-2009 发布日期:2009-10  实施日期:
半导体技术用材料的试验.表征光阻剂方法.第1部分:涂层厚度的光学法测定
Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1: Determination of coating thickness with optical methods
参考页数:8P.;A4
10  DIN 50452-2-2009 发布日期:2009-10  实施日期:
半导体技术用材料的试验.液体中粒子分析的试验方法.第2部分:利用光学粒子计数器测定粒子
Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 2: Determination of particles by optical particle counters
参考页数:11P.;A4
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