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CCS中国标准分类
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 CCS中国标准分类  
01  NF C31-888-12-2014 发布日期:2014-05-02  实施日期:2014-05-02
超导性.第12部分:基体与超导体体积比的测量.铌<下标3>锡复合超导金属线的铜对非铜体积之比
Superconductivity - Part 12 : matrix to superconductor volume ratio measurement - Copper to non-copper volume ratio of Nb3Sn composite superconducting wires
参考页数:33P.;A4
02  GB/T 35316-2017 发布日期:2017-12-29  实施日期:2018-07-01
蓝宝石晶体缺陷图谱
Collection of metallographs on defects of sapphire crystal
价格:¥0.00
03  GB/T 34479-2017 发布日期:2017-10-14  实施日期:2018-07-01
硅片字母数字标志规范
Specification for alphanumeric marking of silicon wafers
价格:¥0.00
04  GB/T 32279-2015 发布日期:2015-12-10  实施日期:2017-01-01
硅片订货单格式输入规范
Specification for order entry format of silicon wafers
价格:¥0.00
05  GB/T 13389-2014 发布日期:2014-12-31  实施日期:2015-09-01
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
价格:¥0.00
06  GB/T 29507-2013 发布日期:20140201  实施日期:2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
Test method for measuring flatness,thickness and total thickness variation on silicon wafers.Automated non-contact scanning
价格:¥0.00
07  GB/T 29504-2013 发布日期:2013-05-09  实施日期:2014-02-01
300mm 硅单晶
300 mm monocrystalline silicon
价格:¥0.00
08  GB/T 29057-2012 发布日期:2012-12-31  实施日期:2013-10-01
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
价格:¥0.00
09  GB/T 14847-2010 发布日期:2011-01-10  实施日期:2011-10-01
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
价格:¥0.00
10  GB/T 26071-2010 发布日期:20111001  实施日期:2010
太阳能电池用硅单晶切割片
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
价格:¥0.00
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