| 标准号： |
GB/T 13389-2014 |
| 英文名称： |
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
2014-12-31 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2015-09-01 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
有研半导体材料股份有限公司;四川新光硅业科技有限责任公司;中国计量科学研究院;浙江省硅材料质量检验中心;杭州海纳半导体有限公司;浙江金瑞泓科技股份有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
29P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 13389-1992 |
| 引用标准： |
GB/T 1550;GB/T 1551;GB/T 4326;GB/T 14264 |
| 内容提要（CN）： |
掺杂剂;电阻率;变换;磷;硅;规则;硼;晶体 |
| 内容提要（EN）： |
DOPING AGENTS;ELECTRICAL RESISTIVITY;RESISTIVITY;CONVERSION;TRANSFORMATION;PHOSPHORUS;SILICON;SILICONE;RULES(INSTRUCTIONS);REGULATIONS;RULES;RULES (INSTRUCTIONS);RULES : INSTRUCTIONS;BORON;CRYSTALS |
| 归属： |
中国 |
