| 标准号： |
GB/T 6219-1998 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
| 发布日期： |
1998-11-17 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
1999-06-01 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
电子工业部标准化研究所 |
| ***： |
CP |
| ***： |
B |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
18P.;A4 |
| 被代替标准： |
GB/T 6219-1986 |
| 采用关系： |
IEC 747-8-1-1987,IDT |
| 内容提要（CN）： |
规范;场效应晶体管;半导体器件 |
| 内容提要（EN）： |
semiconductor devices;field effect transistors;specification;specifications;field-effect transistors |
| 归属： |
中国 |
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