| 标准号： |
JIS H0604-1995 |
| 英文名称： |
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method |
| 中标分类： |
冶金>>半金属 |
| 发布日期： |
1995-07-01 |
| 发布单位： |
JP-JISC |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 确认日期： |
1995-12 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
Technical Committee on Electronics |
| 正文语言： |
日语 |
| 原文名称： |
シリコンタンケッショウノコウドウデンゲンスイホウニヨルライフタイムソクテイホウホウ |
| 页数： |
7P;A4 |
| 译文语言： |
en |
| 内容提要（CN）： |
晶体结构;半导体器件;测量;光电导性;光电现象;生命科学;时间测量;硅;准金属 |
| 内容提要（EN）： |
time measurement;measurement;life sciences;silicon;metalloids;photoconductivity;photoelectricity;crystal structure;semiconductor devices |
| 归属： |
日本 |
