| 标准号： |
IEC 62373-2006 |
| 英文名称： |
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
| 发布日期： |
2006-07 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/TC 47 |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxydesemiconducteur (MOSFET) (Edition 1.0) |
| 页数： |
27P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 62373 (2006-07);IEC 47/1862/FDIS (2006-04);IEC 47/1811/CDV (2005-03) |
| 被代替标准： |
IEC 47/1862/FDIS-2006 |
| 采用关系： |
DIN EN 62373-2007,IDT;BS EN 62373-2006,IDT;EN 62373-2006,IDT;NF C96-051-2006,IDT;OEVE/OENORM EN 62373-2007,IDT;PN-EN 62373-2006,IDT |
| 内容提要（CN）： |
组件;定义;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;金属氧化物半导体场效应管;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;试验;试验装置;热应力;晶体管 |
| 内容提要（EN）： |
Checking equipment;Components;Definitions;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Limits (mathematics);Measuring equipment;MOSFET;Ratings;Semiconductor devices;Stability;Temperature stress;Testing;Testing devices;Thermal stress;Transistors |
| 内容提要（QT）： |
Bauelement;Begriffe;Definition;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Feldeffekttransistor;Grenzwert;Halbleiterbauelement;Kenndaten;Messeinrichtung;MOSFET;Prüfeinrichtung;Prüfung;Prüfverfahren;Stabilit？t;Temperaturbeanspruchung;Temperaturspannung;Transistor |
| 归属： |
国际 |
