| 标准号： |
IEC 62416-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体三极管 |
| 发布日期： |
2010-04 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/TC 47 |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs – Essai de porteur chaud sur les transistors MOS (Edition 1.0) |
| 页数： |
24P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 62416 (2010-04);IEC 47/2041/FDIS (2010-01);IEC 47/1994/CDV (2008-09);IEC 47/1955/CD (2008-01);IEC 47/1902/CD (2007-03) |
| 被代替标准： |
IEC 47/2041/FDIS-2010 |
| 采用关系： |
DIN EN 62416-2010,IDT;BS EN 62416-2010,IDT;EN 62416-2010,IDT;PN-EN 62416-2010,IDT |
| 内容提要（CN）： |
电气工程;电子设备及元件;寿命;载荷试验;MOS电路;半导体器件;规范(验收);应力;试验;试验条件;晶体管;薄片 |
| 内容提要（EN）： |
Electrical engineering;Electronic equipment and components;Life (durability);Loading tests;MOS circuits;Semiconductor devices;Specification (approval);Stress;Testing;Testing conditions;Transistors;Wafers |
| 内容提要（QT）： |
Anforderung;Beanspruchung;Belastung;Belastungsprüfung;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Halbleiterbauelement;Lebensdauer;MOS-Schaltung;Prüfbedingung;Prüfung;Prüfverfahren;Transistor;Wafer |
| 归属： |
国际 |
