| 标准号： |
EN 62047-16-2015 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015); German version EN 62047-16:2015 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2015-12 |
| 发布单位： |
EN |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Dunnschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkrummungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015 |
| 页数： |
13P.;A4 |
| 附注： |
History:DIN EN 62047-16 (2015-12);DIN EN 62047-16 (2012-11) |
| 被代替标准： |
EN 62047-16-2012 |
| 引用标准： |
IEC 62047-21-2014 |
| 采用关系： |
DIN EN 62047-16-2015,IDT;IEC 62047-16-2015,IDT |
| 内容提要（QT）： |
Anforderung;Bauteil;Begriffe;Biegung;Definition;Dunnfilm;Dunnschicht;Eigenschaft;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Halbleiterbauelement;Krummung;Messung;Messverfahren;Mikroelektronik;Mikrosystemtechnik;Oberflachenbehandlung;Prufung;Prufverfahren;Restspannung;Sichtprufung;Systemtechnik;Verbindung;Wafer;Werkstoff |
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