| 标准号： |
EN 60749-28-2017 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level (IEC 60749-28:2017); German version EN 60749-28:2017 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2018-0201 |
| 发布单位： |
EN |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2018-02-01 |
| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告： |
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE;German Commissi |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé par contact direct (DC-CDM) (IEC 60749-28:2017); Version allemande EN 60749-28:2017 |
| 页数： |
50P.;A4 |
| 附注： |
History:DIN EN 60749-28-2018-02;DIN EN 60749-28-2012-07 |
| 被代替标准： |
EN 60749-28-2012 |
| 引用标准： |
DIN EN 60749-26-2014;IEC 60749-26-2013 |
| 采用关系： |
DIN EN 60749-28-2018,IDT;IEC 60749-28-2017,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Components;Definitions;Dimensions;Discharge characteristics;Electric discharges;Electrical engineering;Electrical measurement;Electrical testing;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Electrostatic chargings;Electrostatic discharges;Electrostatics;Environmental testing;Environmental tests;Hybrid integrated circuits;Integrated circuits;Interference susceptibility;Materials testing;Mechanical testing;Microcircuits;Optoelectronic devices;Physical properties;Semiconductor devices;Sensitivity;Surface acoustic waves;Testing;Thin films;Thin-film devices |
| 内容提要（QT）： |
Circuit intégré;Dispositif semi-conducteur;Elément de soutènement;Décharge électrique;Circuit microélectronique;Mesurage électrique;Décharge dans un gaz;Composant électronique;Microélectronique;Dimension;Electronique moléculaire;Dispositif à couche mince;Définition;Ondes acoustiques de surface;Circuit intégré hybride;Méthodes d'essai d'environnement;Electricité statique;Essai électrique;Circuit semiintégré;Dispositif optoélectronique;Microstructure hybride;Microstructure électronique;Comportement de décharge;Réponse;Essai mécanique;Electronique;Sensibilité;Charge statique;Essai climatique;Circuit intégré de commutation;Eléments de construction;Elément de construction;Partie;Couche mince;Composant;Electrotechnique;Matériel et composants électroniques;Propriété physique;Essai aux conditions ambiantes;Essai de matériaux;Dispositif électronique;Chips de silicon;Circuit hybride;Décharge électrostatique;Microstructure;Essai;Essai d'environnement;Electrostatique |
下载：“半导体分立器件综合”相关标准( 下载...)
下载“半导体器件综合”相关标准(下载...)
|
