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中文名称：二极管低频噪声参数测试方法
标准号:SJ/T 11767-2020
标准号： SJ/T 11767-2020
英文名称：
中标分类： 电子元器件与信息技术>>半导体二极管
发布日期： 20210401
发布单位： CN-GB
标准状态： 请与本站工作人员进行确认
实施日期： 2020
ICS分类： 半导体器件综合>>半导体器件综合
正文语言： 汉语
页数： 8
附注： 工信部公告2020年第48号
代替标准：
被代替标准：
引用标准：
采用关系：
内容提要（CN）： 本标准规定了二极管1Hz～300kHz频率范围内的噪声参数测试方法及要求。
归属： 中国
下载：“半导体二极管”相关标准(下载...)

SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法  
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BS IEC 60747-3-2013 半导体器件.分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管  
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BS EN 150014-1997 电子元器件质量评定协调体系.空白详细规范:防瞬时过电压闸流二极管  
BS 9300 C762-1980 X波段用混频器二极管详细规范  
EN 120005-1992 空白详细规范:光电二极管,光电二极管阵列(非光纤用)  
ANSI/EIA 318-B-1996 半导体信号二极管用反向恢复时间测量/注释:1999-04-00批准.  
ANSI/EIA 381-A-1992 二级管Q值测量法  

 

下载“半导体器件综合”相关标准(下载...)

SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法  
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ASTM F1892-2012(2018) 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验标准指南  
ASTM F1192-2011(2018) 半导体器件重离子辐照引起的单粒子现象(SEP)测量的标准指南  

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