| 标准号： |
DIN EN 60749-43-2018 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 43: Guidelines for IC reliability qualification plans (IEC 60749-43:2017); German version EN 60749-43:2017 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2018-0501 |
| 发布单位： |
DE-DIN |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2018-05-01 |
| ICS分类： |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告： |
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE;German Commissi |
| 正文语言： |
德语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 43: Lignes directrices concernant les plans de qualification de la fiabilité des CI (IEC 60749-43:2017); Version allemande EN 60749-43:2017 |
| 页数： |
40P.;A4 |
| 附注： |
History:DIN EN 60749-43-2018-05;DIN EN 60749-43-2013-10 |
| 被代替标准： |
DIN EN 60749-43-2013 |
| 引用标准： |
AEC Q100-1994-06;IECQ 01-2014;IECQ 02-2013;IECQ 03-1-2012;IECQ 03-2-2013;IECQ 03-3-2013;IECQ 03-3-1-2013;IECQ 03-3-2-2014;IECQ 03-4-2014;IECQ 03-5-2017;IECQ 03-6-2012;IECQ 03-7-2013;IECQ 03-8-2015;IEC 60068-2-1-2007;IEC 60068-2-30-2005;IEC 60749-5-2017;IEC 60749-6-2017;IEC 60749-11-2002;IEC 60749-15-2010;IEC 60749-20-2008;IEC 60749-21-2011;IEC 60749-23-2004;IEC 60749-25-2003;IEC 60749-26-2018;IEC 60749-28-2017;IEC 60749-29-2011;IEC 60749-42-2014 |
| 采用关系： |
EN 60749-43-2017,IDT;IEC 60749-43-2017,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Backward compatibility;Climate;Climatic tests;Components;Cyclic loading;Defects;Definitions;Electrical engineering;Electrical measurement;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Environment;Environmental testing;Environmental tests;Failure rates;Impurities;Integrated circuits;Mechanical testing;Quality;Reliability;Resistance;Semiconductor devices;Semiconductors;SMD;Surface mounting;Testing;Surface mounting devices |
| 内容提要（QT）： |
Aux de défaillance;Montage en surface;Dispositif semi-conducteur;Elément de soutènement;Climat;Chips de silicon;Circuit microélectronique;Essai climatique;Résistance;Manque;Composant électronique;Semi-conducteur;Microélectronique;Microstructure électronique;Impureté;Essai;Electronique moléculaire;Définition;Méthodes d'essai d'environnement;Dispositif électronique;Essai mécanique;Electronique;Compatibilité ascendante;Mesurage électrique;Qualité;Partie;Circuit intégré de commutation;Eléments de construction;Elément de construction;Fiabilité;Résisteur;Composant;Electrotechnique;Matériel et composants électroniques;Charge cyclique;Défaut;Circuit intégré;Environnement;Matériau de semi-conducteur;CMS;Essai aux conditions ambiantes;Microstructure;Conditions climatiques;Essai d'environnement;Résistivité |
| 归属： |
德国 |
