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中文名称：半导体.微波二极管.肖特基二极管.一般要求
标准号:NF C96-832-1981
标准号： NF C96-832-1981
英文名称： Semiconductors. Microwave diodes. Schottky diodes. General requirements.
中标分类： 电子元器件与信息技术>>场效应器件
发布日期： 1981-06-01
发布单位： FR-AFNOR
标准状态： 请与本站工作人员进行确认
实施日期： 1981-06-05
ICS分类： 二极管>>二极管
正文语言： 其他
原文名称： Semiconducteurs. Diodes hyperfréquences - Diodes schottky - Prescriptions générales.
页数： 65P.;A4
内容提要（CN）： 定义;机械试验;电子设备及元件;验收检验;电学测量;电压;环境试验;电流;击穿电压;波的性质和现象;试验条件;验收试验;电容;阻抗;半导体二极管;功率损耗;灵敏度;鉴定试验;合格试验;声学试验;固态二极管;老化试验;比率;电子元部件;驻波系数;电气试验
归属： 法国
下载：“场效应器件”相关标准(下载...)

ISO 3802-1976 信息处理 互换计测磁带用的8mm(5/16 in)中心孔通用带盘  
BS QC 750106-1993 电子元器件质量评估协调体系规范.半导体分立器件.空白详细规范.用于外壳额定功率放大器应用的场效应晶体管  
BS QC 750114-1996 电子元器件质量评定协调体系.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.转换电路用场效应晶体管空白详细规范  
IEC 60747-8-2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管  
IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)  
IEC 60747-8-2-1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范  
NF C96-832-1981 半导体.微波二极管.肖特基二极管.一般要求  
NF C96-008-1985 半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管  
GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法  (作废)
GB 10278-1988 电子元器件详细规范 CS422OA 型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用)  (作废)

 

下载“二极管”相关标准(下载...)

BS IEC 60747-2-2016 半导体器件.分立器件.整流二极管  (作废)
JB/T 8949.2-2013 普通整流管 第2部分：平板形器件  (作废)
JB/T 8949.1-2013 普通整流管 第1部分：螺栓形器件  (作废)
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法  (作废)
BS IEC 60747-3-2013 半导体器件.分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管  (作废)
BS 9300 C678-721-1980 硅稳压器二极管详细规范  (作废)
BS IEC 60747-2-2000 分立的半导体器件器件和集成电路.整流二极管  (作废)
BS QC 750109-1994 电子元器件质量评估协调体系规范.空白详细规范.电流大于100A的环境温度额定和外壳温度额定的整流器二极管(包括雪崩式整流器二极管)  (作废)
BS CECC 50009-1982 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范:额定外壳温度的整流二极管  (作废)
BS CECC 50008-1982 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范:额定环境温度的整流二极管  (作废)

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