| 标准号： |
IEC 60747-8-4-2004 |
| 英文名称： |
Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>场效应器件 |
| 发布日期： |
2004-09 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/SC 47E |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Dispositifs discrets à semiconducteurs Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance (Edition 1.0) |
| 页数： |
130P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 60747-8-4 (2004-09);IEC 47E/259/FDIS (2004-05);IEC 47E/235/CDV (2002-12) |
| 被代替标准： |
IEC 47E/259/FDIS-2004 |
| 引用标准： |
IEC 60747-1-1983;IEC 60747-2-2000;IEC 60747-8-2000 |
| 采用关系： |
BS IEC 60747-8-4-2004,IDT |
| 内容提要（CN）： |
主流;定义;规范(验收);试验;特性;电气工程;电子工程;机械性能;组装件;额定值;测量;检验;测量技术;符号;型式;极限(数学);可靠度;半导体器件;金属氧化物;金属氧化物半导体;分立器件;级;晶体管;场效应晶体管;断路器;氧化物覆层;电子设备及元件;半导体;验收;详细规范;元部件 |
| 内容提要（EN）： |
Acceptance;Assemblies;Circuit-breakers;Class;Components;Definition;Definitions;Detail specification;Discrete devices;Drain current;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Inspection;Limits (mathematics);Measurement;Measuring techniques;Mechanical properties;Metal oxide semiconductors;Metallic oxides;Oxide coatings;Properties;Ratings;Reliability;Semiconductor devices;Semiconductors;Specification (approval);Symbols;Testing;Transistors;Types |
| 内容提要（QT）： |
Anforderung;Annahme;Bauartspezifikation;Bauelement;Baugruppe;Begriffe;Definition;Drainstrom;Eigenschaft;Einzelbauelement;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Feldeffekttransistor;Grenzwert;Gruppe;Halbleiter;Halbleiterbauelement;Kennwert;Leistungsschalter;mechanische Eigenschaft;Messung;Messverfahren;Metalloxid;Metalloxidhalbleiter;Oxidschicht;Prüfung;Qualit？tsprüfung;Symbol;Transistor;Typ;Zuverl？ssigkeit |
| 归属： |
国际 |
