| 标准号： |
IEC 60747-8-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>场效应器件 |
| 发布日期： |
2010-12 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-12 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/SC 47E |
| 正文语言： |
双语(英,法) |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs descrets – Partie 8: Transistors à effet de champ (Edition 3.0) |
| 页数： |
160P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 60747-8 (2010-12);IEC 47E/398/FDIS (2010-09);IEC 47E/365/CDV (2008-05);IEC 47E/320/CD (2007-01);IEC 60747-8 (2000-12);IEC 47E/149/FDIS (2000-03);IEC 47E/37/CDV (1996-01);IEC 60747-8 AMD 2 (1993-12);IEC/DIS 47(CO)1281 (1992-01);IEC 60747-8 AMD 1 (1991-07);IEC 60747-8 (1984);IEC 60147-2G (1975) |
| 被代替标准： |
IEC 47E/398/FDIS-2010;IEC 60747-8-2000 |
| 引用标准： |
IEC 61340;IEC 60747-1-2006;IEC 60747-7-2000;IEC 60749-23-2004;IEC 60749-34 |
| 采用关系： |
BS IEC 60747-8-2011,IDT |
| 内容提要（CN）： |
组件;定义(术语);分立器件;漏电流;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;大门;检验;极限(数学);测量;测量技术;金属氧化物半导体场效应晶体管;额定值;可靠度;肖特基电路;半导体器件;半导体;符号;晶体管 |
| 内容提要（EN）： |
Components;Definitions;Discrete devices;Drain current;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Gates;Inspection;Limits (mathematics);Measurement;Measuring techniques;MOSFET;Ratings;Reliability;Schottky circuit;Semiconductor devices;Semiconductors;Symbols;Transistors |
| 内容提要（QT）： |
Bauelement;Begriffe;Definition;Drainstrom;Einzelbauelement;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Feldeffekttransistor;Gate;Grenzwert;Halbleiter;Halbleiterbauelement;Kenndaten;Kennwert;Kurzzeichen;Messung;Messverfahren;MOSFET;Qualit？tsprüfung;Schottky-Schaltung;Transistor;Zuverl？ssigkeit |
| 归属： |
国际 |
