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中文名称:半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管
标准号:NF C96-008-1985
标准号: NF C96-008-1985
英文名称: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 8 : field-effect transistors.
中标分类 电子元器件与信息技术>>场效应器件
发布日期: 1985-09-01
发布单位: FR-AFNOR
标准状态 请与本站工作人员进行确认
实施日期: 1985-09-20
ICS分类 三极管>>三极管
正文语言 其他
原文名称: Composants électroniques - Dispositifs ? semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés. Huiti?me partie : transistors ? effet de champ.
页数: 44P.;A4
采用关系: IEC 60747-8-1984,IDT
内容提要(CN): 电子工程;极限(数学);电子设备及元件;作标记;额定值;电气工程;定义;规范(验收);晶体管;半导体;场效应晶体管;检验;测量;半导体器件;集成电路
内容提要(EN): Definitions;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Inspection;Integrated circuits;Limits (mathematics);Marking;Measurement;Ratings;Semiconductor devices;Semiconductors;Specification (approval);Transistors
归属: 法国
下载:“场效应器件”相关标准(下载...)

ISO 3802-1976 信息处理 互换计测磁带用的8mm(5/16 in)中心孔通用带盘  
BS QC 750106-1993 电子元器件质量评估协调体系规范.半导体分立器件.空白详细规范.用于外壳额定功率放大器应用的场效应晶体管  
BS QC 750114-1996 电子元器件质量评定协调体系.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.转换电路用场效应晶体管空白详细规范  
IEC 60747-8-2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管  
IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)  
IEC 60747-8-2-1993 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第2节:外壳额定功率放大场效应晶体管空白详细规范  
NF C96-832-1981 半导体.微波二极管.肖特基二极管.一般要求  
NF C96-008-1985 半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管  
GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法  (作废)
GB 10278-1988 电子元器件详细规范 CS422OA 型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用)  (作废)

 

下载“三极管”相关标准(下载...)

SJ/T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法  (作废)
ASTM F996-2011(2018) 使用阈下电流&x2013将电离辐射诱导的MOSFET阈电压偏移分离成由于氧化物陷阱和界面状态引起的元件的标准试验方法;电压特性  (作废)
ASTM F996-2011(2018) 使用阈下电流&x2013将电离辐射诱导的MOSFET阈电压偏移分离成由于氧化物陷阱和界面状态引起的元件的标准试验方法;电压特性  (作废)
GB/T 37660-2019 柔性直流输电用电力电子器件技术规范  (作废)
SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范  (作废)
SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范  (作废)
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范  (作废)
SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范  (作废)
SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范  (作废)
SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范  (作废)

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